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产品介绍 SV022IG5A-2变频器 2.2KW 全新现货假一赔十包邮 厂家直销
1)、电力MOS场效应晶体管(P-MOSFET)是单极型全控器件，属于电压控制。具有驱动功率小、控制线路简单、工作频率高的特点。
2)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是复合型全控器件，具有输人阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等优点，是功率开关电源和逆变器的理想电力半导体器件。IGBT模块的外形、结构和图形符号如图1-13所示.其中，G为栅极，C为集电极，E为发射极。IGBT的导通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，P-MOSFET内形成沟道，IGBT导通;当栅极加负电压时,P-MOSFET内的沟道消失，EGBT关断。IGBT的输出特性可分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。IGBT的主要参数有集电极-发射极击穿电压U ges、集电极额定最大直流I c、集电极-发射极间的饱和压降U ce(sat)和开关频率f on等。 添加时间：2020-09-16 浏览次数：0 订购须知
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